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1SS226(T5LTST,F)

更新时间： 2024-01-01 20:33:26

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1SS226(T5LTST,F) 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.65	应用：	ULTRA FAST RECOVERY
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.2 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	最大非重复峰值正向电流：	2 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.15 W	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	85 V	最大反向电流：	0.5 µA
最大反向恢复时间：	0.004 µs	反向测试电压：	80 V
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

1SS226

Switching Diodes Silicon Epitaxial Planar

1SS226

1. Applications

•

Ultra-High-Speed Switching

2. Features

(1) AEC-Q101 qualified (Note 1)

Note 1: For detail information, please contact to our sales.

3. Packaging and Internal Circuit

1: Anode 1

2: Cathode 2

3: Cathode1 / Anode 2

S-Mini

Start of commercial production

1982-09

2018-11-16

Rev.4.0

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1SS226(TE85L,F)	TOSHIBA	RECTIFIER DIODES,DOUBLER,85V V(RRM),SOT-23	获取价格
1SS226,LF(T	TOSHIBA	Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon	获取价格
1SS226_07	TOSHIBA	Ultra High Speed Switching Application	获取价格
1SS226_12	PANJIT	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE	获取价格
1SS226_13	MCC	150mW SWITCHING DIODE	获取价格
1SS226-AH	SWST	小信号开关二极管	获取价格