5秒后页面跳转
1SS226(T5L,F,T) PDF预览

1SS226(T5L,F,T)

更新时间: 2024-12-01 08:39:51
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 超快恢复二极管快速恢复二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 102K
描述
0.1A, 85V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

1SS226(T5L,F,T) 技术参数

生命周期:Active包装说明:2-3F1S, S-MINI PACKAGE-3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.63
应用:ULTRA FAST RECOVERY配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 VJESD-30 代码:R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流:2 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C最大输出电流:0.1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.15 W
参考标准:AEC-Q101最大重复峰值反向电压:85 V
最大反向电流:0.5 µA最大反向恢复时间:0.004 µs
反向测试电压:80 V表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

1SS226(T5L,F,T) 数据手册

 浏览型号1SS226(T5L,F,T)的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS226(T5L,F,T)的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1SS226(T5L,F,T)的Datasheet PDF文件第4页浏览型号1SS226(T5L,F,T)的Datasheet PDF文件第5页浏览型号1SS226(T5L,F,T)的Datasheet PDF文件第6页 
1SS226  
Switching Diodes Silicon Epitaxial Planar  
1SS226  
1. Applications  
Ultra-High-Speed Switching  
2. Features  
(1) AEC-Q101 qualified (Note 1)  
Note 1: For detail information, please contact to our sales.  
3. Packaging and Internal Circuit  
1: Anode 1  
2: Cathode 2  
3: Cathode1 / Anode 2  
S-Mini  
Start of commercial production  
1982-09  
©2017-2018  
2018-11-16  
Rev.4.0  
1
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation  

与1SS226(T5L,F,T)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS226(T5LPEV,F) TOSHIBA

获取价格

Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon
1SS226(T5LTST,F) TOSHIBA

获取价格

Rectifier Diode
1SS226(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

RECTIFIER DIODES,DOUBLER,85V V(RRM),SOT-23
1SS226,LF(T TOSHIBA

获取价格

Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon
1SS226_07 TOSHIBA

获取价格

Ultra High Speed Switching Application
1SS226_12 PANJIT

获取价格

SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE
1SS226_13 MCC

获取价格

150mW SWITCHING DIODE
1SS226-AH SWST

获取价格

小信号开关二极管
1SS226-T RECTRON

获取价格

Rectifier Diode,
1SS226-T1 WTE

获取价格

Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3