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1SS226(T5L,F,T)

更新时间： 2024-01-06 08:59:52

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东芝 - TOSHIBA		超快恢复二极管快速恢复二极管测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	102K
描述
0.1A, 85V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

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1SS226(T5L,F,T) 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	2-3F1S, S-MINI PACKAGE-3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.63
应用：	ULTRA FAST RECOVERY	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.2 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流：	2 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.15 W
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	85 V
最大反向电流：	0.5 µA	最大反向恢复时间：	0.004 µs
反向测试电压：	80 V	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

1SS226

Switching Diodes Silicon Epitaxial Planar

1SS226

1. Applications

•

Ultra-High-Speed Switching

2. Features

(1) AEC-Q101 qualified (Note 1)

Note 1: For detail information, please contact to our sales.

3. Packaging and Internal Circuit

1: Anode 1

2: Cathode 2

3: Cathode1 / Anode 2

S-Mini

Start of commercial production

1982-09

2018-11-16

Rev.4.0

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1SS226(T5LPEV,F)	TOSHIBA	Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon	获取价格
1SS226(T5LTST,F)	TOSHIBA	Rectifier Diode	获取价格
1SS226(TE85L,F)	TOSHIBA	RECTIFIER DIODES,DOUBLER,85V V(RRM),SOT-23	获取价格
1SS226,LF(T	TOSHIBA	Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon	获取价格
1SS226_07	TOSHIBA	Ultra High Speed Switching Application	获取价格
1SS226_12	PANJIT	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE	获取价格