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1SS221

更新时间： 2024-01-02 06:31:14

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1页	60K
描述
Low capacitance:Ct = 4.0 pF MAX. Wide applications including switching, limitter clipper.

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1SS221 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.2 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大反向电流：	1 µA	最大反向恢复时间：	0.003 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

1SS221 数据手册

Product specification

1SS221

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

Features

Low capacitance:C^t= 4.0 pF MAX.

High speed switching: t^rr= 3.0 ns MAX.

Wide applications including switching, limitter clipper.

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

-0.1

1.9

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Peak Reverse Voltage

DC Reverse Voltage

Symbol

V^RM

V^R

Rating

100

Unit

100

Peak Forward Current

Average Rectified Current

DC Forward Current

I^FM

I^O

300

100

Junction Temperature

Storage Temperature Range

Junction to Ambient

T^j

150

T^stg

-55 + 150

0.67

/mW

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ

720

850

950

Max

850

1000

1200

1.0

Unit

I^F= 10 Ma

I^F= 50 mA

Continuous reverse voltage

V^F

I^F= 100 mA

Reverse current

capacitance

I^R

C^t

t^rr

V^R= 100 V

V^R= 0, f = 1.0 MHz

I^F= 10 mA,V^R= 6 V, R^L= 100

2.0

4.0

Reverse recovery time

3.0

Marking

A14

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1SS221-L	NEC	Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon, PLASTIC, SC-59, 3 PIN	获取价格
1SS221-T1B	NEC	Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN	获取价格
1SS221-T1B-A	NEC	0.1A, SILICON, SIGNAL DIODE, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN	获取价格
1SS221-T2B-A	NEC	Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN	获取价格
1SS222	NEC	SILICON SWITCHING DIODES	获取价格
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