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1SS181

更新时间： 2024-11-16 14:55:51

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江苏长电/长晶 - CJ		/
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4页	1681K
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SOT-23

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1SS181 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.63
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.2 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.05 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.15 W	最大重复峰值反向电压：	80 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

1SS181 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes

SOT-23

1SS181

Switching Diodes

FEATURES

Low forward voltage

Fast reverse recovery time

MARKING: A3

A3 = Device code

Solid dot = Green molding compound device.

Maximum Ratings @Ta=25℃

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V_RM

V_R

Forward Continuous Current

Average Rectified Output Current

I_FM

300

100

2.0

I_O

I_FSM

P_D

Non-Repetitive Peak

Forward Surge Current @t=8.3ms

Power Dissipation

150

Thermal Resistance from Junction to Ambient

R_θJA

T_J,T_STG

℃/W

833

Operation Junction and Storage Temperature Range

℃

-55~+150

Electrical Characteristics @Ta=25℃

Parameter

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Conditions

Reverse breakdown voltage

I_R=100μA

V_(BR)

V_F1

0.61

I_F=1mA

Forward voltage

Reverse current

I_F=10mA

I_F=100mA

V_R=30V

V_F2

V_F3

0.74

0.92

1.2

0.1

I_R1

I_R2

C_T

t _{r r}

0.5

4.0

V_R=80V

Capacitance between terminals

Reverse recovery time

2.2

1.6

V_R=0,f=1MHz

I_F=I_R=10mA,I_rr=0.1×I_R

www.jscj-elec.com

Rev. - 2.1

12 3 4

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