1SS132

更新时间： 2024-01-25 15:14:43

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EIC		整流二极管开关
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HIGH SPEED SWITCHING DIODE

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1SS132 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.76
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.2 V
JEDEC-95代码：	DO-34	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最大输出电流：	0.12 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	55 V
最大反向电流：	0.5 µA	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

1SS132 数据手册

HIGH SPEED SWITCHING DIODE

1SS132

DO - 34 Glass

FEATURES :

• High switching speed: max. 4 ns

• Continuous reverse voltage:max. 50 V

• Repetitive peak reverse voltage:max. 55 V

• Pb / RoHS Free

1.00 (25.4)

0.078 (2.0 )max.

min.

0.118 (3.0)

Cathode

max.

Mark

1.00 (25.4)

min.

0.019 (0.50)max.

MECHANICAL DATA :

Case: DO-34 Glass Case

Weight: approx. 0.093g

Dimensions in inches and ( millimeters )

Maximum Ratings and Thermal Characteristics (Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.)

Parameter

Symbol

V_RRM

V_RM

I_F

Value

Unit

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum Continuous Reverse Voltage

Maximum Average Forward Current

Maximum Peak Forward Current

Maximum Power Dissipation

120

°C

I_FM

350

P_D

300

I_FSM

T_J

Maximum Non-repetitive Peak Forward Current

Maximum Junction Temperature

Storage Temperature Range

500

175

T_S

-65 to + 175

°C

Electrical Characteristics (Ta = 25°C unless otherwise noted)

Test Condition

V_R= 50 V

I_F= 100 mA

Min.

Typ.

Max.

Unit

Parameter

Symbol

I_R

V_F

C_T

Reverse Current

0.5

1.2

2.0

Forward Voltage

f = 1MHz ; V_R= 0.5 V

Capacitance between terminals

I_F= 10 mA , V_R= 6 V

Reverse Recovery Time

Trr

4.0

R_L= 50 W

Page 1 of 2

Rev. 01 : August 17, 2005

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