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1PS79SB30

更新时间： 2024-01-04 12:41:48

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TYSEMI		二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
1页	57K
描述
Very Low forward voltage Very Low reverse current Guard ring protected

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技术参数
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1PS79SB30 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-79	包装说明：	ULTRA SMALL, PLASTIC, SC-79, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.49	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	TIN	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40

1PS79SB30 数据手册

Product specification

1PS79SB30

SOD-523

Unit: mm

0.6

+0.1

-0.1

+0.1

-0.1

1.2

Features

Very Low forward voltage

Very Low reverse current

Guard ring protected

+0.1

-0.1

1.6

0.77max

Ultra small plastic SMD package.

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

continuous reverse voltage

continuous forward current

repetitive peak forward current

Symbol

V^R

Conditions

Min

Max

Unit

I^F

200

300

IFSM

tp 1 s;ä 0.5

t = 8.3 ms half sinewave;

JEDEC method

non-repetitive peak forwrad current

I^FSM

storage temperature

T^stg

T^j

-65

+150

150

junction temperature

operating ambient temperature

T^amb

+150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Conditions

I^F= 0.1 mA

Typ

190

250

320

440

520

Max

220

290

360

500

600

0.5

Unit

I^F= 1 mA

forward voltage

V^F

I^F= 10 mA

I^F= 100 mA

I^F= 200 mA

capacitance reverse current

diods capacitance

I^R

C^d

V^R= 25 V, note 1;

V^R= 1 V, f = 1 MHz;

thermal resistance from junction to ambient

Note

R^{th j-a}

450

K/W

1. Pulse test: pulse width = 300 s, ä = 0.02.

Marking

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

1 of 1

4008-318-123

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与1PS79SB30相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1PS79SB30/T3	NXP	DIODE 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, ULTRA SMALL, PLASTIC, SC-79, 2 PIN, Signal Diode	获取价格
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