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1N945

更新时间： 2024-11-05 22:29:15
品牌 Logo 应用领域
CDI-DIODE 二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
2页 116K
描述
11.7 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGE

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1N945 技术参数

生命周期：TransferredReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.64Is Samacsys：N
其他特性：METALLURGICALLY BONDED外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODEJEDEC-95代码：DO-35
JESD-30 代码：O-LALF-W2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM最大功率耗散：0.5 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：11.7 V
表面贴装：NO技术：ZENER
端子面层：TIN LEAD端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL电压温度Coeff-Max：0.0585 mV/ °C
最大电压容差：4.96%Base Number Matches：1

1N945 数据手册

 浏览型号1N945的Datasheet PDF文件第2页 
1N941 thru 1N945B  
and  
•
•
1N941B, 1N943B, 1N944B AND 1N945B AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV  
PER MIL-PRF-19500/157  
1N941B-1, 1N943B-1, 1N944B-1 AND 1N945B-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS  
PER MIL-PRF-19500/157  
1N941B-1 thru 1N945B-1  
• 11.7 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGE  
• TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES  
• METALLURGICALLY BONDED  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +175°C  
DC Power Dissipation: 500mW @ +50°C  
Power Derating: 4 mW / °C above +50°C  
REVERSE LEAKAGE CURRENT  
lR = 15µ A @ 25°C & VR = 8 Vdc  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified.  
JEDEC  
TYPE  
NUMBER  
ZENER  
VOLTAGE  
ZENER  
TEST  
CURRENT  
MAXIMUM  
ZENER  
IMPEDANCE  
ZZT  
VOLTAGE  
TEMPERATURE  
STABILITY  
TEMPERATURE  
RANGE  
EFFECTIVE  
TEMPERATURE  
COEFFICIENT  
v
@ I  
I
∆V  
z
ZT  
ZT  
ZT  
MAXIMUM  
(Note 1)  
OHMS  
(Note 2)  
VOLTS  
mA  
mV  
°C  
% / °C  
FIGURE 1  
1N941  
1N941A  
1N941B  
11.12—12.28  
11.12—12.28  
11.12—12.28  
7.5  
7.5  
7.5  
30  
30  
30  
88  
181  
239  
0 to + 75  
-55 to +100  
-55 to +150  
0.01  
0.01  
0.01  
DESIGN DATA  
1N942  
1N942A  
1N942B  
11.12—12.28  
11.12—12.28  
11.12—12.28  
7.5  
7.5  
7.5  
30  
30  
30  
44  
90  
120  
0 to + 75  
-55 to +100  
-55 to +150  
0.005  
0.005  
0.005  
CASE: Hermetically sealed glass  
1N943  
1N943A  
1N943B  
11.12—12.28  
11.12—12.28  
11.12—12.28  
7.5  
7.5  
7.5  
30  
30  
30  
18  
36  
47  
0 to + 75  
-55 to +100  
-55 to +150  
0.002  
0.002  
0.002  
case. DO – 35 outline.  
LEAD MATERIAL: Copper clad steel.  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
1N944  
1N944A  
1N944B  
11.12—12.28  
11.12—12.28  
11.12—12.28  
7.5  
7.5  
7.5  
30  
30  
30  
9
18  
24  
0 to + 75  
-55 to +100  
-55 to +150  
0.001  
0.001  
0.001  
1N945  
1N945A  
1N945B  
11.12—12.28  
11.12—12.28  
11.12 -12.28  
7.5  
7.5  
7.5  
30  
30  
30  
4
9
12  
0 to + 75  
-55 to +150  
-55 to +150  
0.0005  
0.0005  
0.0005  
POLARITY: Diode to be operated with  
the banded (cathode) end positive.  
MOUNTING POSITION: Any.  
NOTE 1 Zener impedance is derived by superimposing on l A 60Hz rms a.c. current equal to  
ZT  
10% of l  
.
ZT  
NOTE 2 The maximum allowable change observed over the entire temperature range i.e., the  
diode voltage will not exceed the specified mV at any discrete temperature between  
the established limits, per JEDEC standard No.5.  
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176  
PHONE (781) 665-1071  
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com  
FAX (781) 665-7379  
E-mail: mail@cdi-diodes.com  
12

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与1N945相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N945-1-3%E3 MICROSEMI

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 		Zener Diode, 11.7V V(Z), 3%, 0.5W, Silicon, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLA
1N945-1E3 MICROSEMI

获取价格

 		Zener Diode, 11.7V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLA
1N945A CDI-DIODE

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 		11.7 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGE
1N945A NJSEMI

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 		11.7 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES
1N945A MICROSEMI

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 		11.7 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES
1N945A-1 MICROSEMI

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 		Zener Diode, 11.7V V(Z), 4.96%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-35, 2 PIN
1N945A-1-1% MICROSEMI

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 		Zener Diode, 11.7V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-35, 2 PIN
1N945A-1-1%E3 MICROSEMI

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 		Zener Diode, 11.7V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLA
1N945A-1-2%E3 MICROSEMI

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 		Zener Diode, 11.7V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLA
1N945A-1-3% MICROSEMI

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