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1N914B

更新时间： 2023-12-06 20:02:09

品牌	Logo	应用领域
先科 - SWST		开关小信号开关二极管
页数	文件大小	规格书
1页	59K
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小信号开关二极管

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1N914B 数据手册

1N914, 1N914A, 1N914B

Silicon Epitaxial Planar Switching Diode

Features

Max. 0.5

• Fast switching speed

• High reliability

Min. 27.5

Max. 3.9

Min. 27.5

Max. 1.9

Black

Cathode Band

Black

Part No.

Black

"ST" Brand

XXX

ST

Glass Case DO-35

Dimensions in mm

O

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

100

75

Unit

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

V_RM

V_R

V

V

Average Rectified Forward Current

1N914

1N914A / B

1N914

1N914A / B

at t = 1 s

at t = 1 µs

75

200

150

300

1

I_F(AV)

I_FM

mA

mA

Forward Continuous Current

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

1N914

I_FSM

1

A

1N914A / B at t = 1 µs

4

Power Dissipation

P_tot

500

mW

O

C

Operating and Storage Temperature Range

T_j,T_stg

- 65 to + 175

O

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Unit

Forward Voltage

at I_F= 5 mA

at I_F= 100 mA

at I_F= 10 mA

at I_F= 20 mA

1N914B

1N914B

1N914

0.62

0.72

-

-

-

1

1

1

V_F

V

1N914A

Reverse Current

at V_R= 20 V

at V_R= 75 V

-

-

-

25

5

50

nA

µA

µA

I_R

O

at V_R= 20 V, T_j= 150 C

Diode Capacitance

at V_R= 0, f = 1 MHz

C_j

t_rr

-

-

4

4

pF

ns

Reverse Recovery Time

at I_F= 10 mA to I_R= 1 mA, V_R= 6 V, R_L= 100 Ω

®

Dated : 15/06/2009

1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N914-B	ETC	Complementary Switching Diode Chips	获取价格
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