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1N900

更新时间: 2024-11-19 22:10:11
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 72K
描述
PELLET DIODES

1N900 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:E-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.92
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:E-PALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.05 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ELLIPTICAL封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.1 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向电流:0.1 µA最大反向恢复时间:0.3 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N900 数据手册

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