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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | E-PALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.92 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1 V | JESD-30 代码： | E-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 0.005 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ELLIPTICAL |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 0.1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 100 V | 最大反向电流： | 0.1 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.3 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N90 | UTC |
获取价格 |
1 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 1N90 | NJSEMI |
获取价格 |
GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
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| 1N900 | MICROSEMI |
获取价格 |
PELLET DIODES |
|
| 1N901 | MICROSEMI |
获取价格 |
PELLET DIODES |
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| 1N902 | MICROSEMI |
获取价格 |
PELLET DIODES |
|
| 1N903A | ETC |
获取价格 |
silicon diode |
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| 1N904 | ETC |
获取价格 |
silicon diode |
|
| 1N904A | ETC |
获取价格 |
silicon diode |
|
| 1N905 | ETC |
获取价格 |
silicon diode |
|
| 1N905A | ETC |
获取价格 |
silicon diode |
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