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1N859

更新时间: 2024-11-20 14:46:07
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CENTRAL 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 57K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, GLASS, SMILAR TO DO-7, 2 PIN

1N859 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-7
包装说明:GLASS, SMILAR TO DO-7, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.92
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.6 V
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:1.5 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N859 数据手册

  
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  

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