是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-213AA |
包装说明: | O-LELF-R2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.1 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | ZENER DIODE | JEDEC-95代码: | DO-213AA |
JESD-30 代码: | O-LELF-R2 | JESD-609代码: | e0 |
湿度敏感等级: | NOT SPECIFIED | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散: | 0.5 W |
认证状态: | Not Qualified | 标称参考电压: | 6.2 V |
表面贴装: | YES | 技术: | ZENER |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | WRAP AROUND |
端子位置: | END | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
电压温度Coeff-Max: | 0.031 mV/ °C | 最大电压容差: | 4.84% |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N829UR-1%TR | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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1N829UR-1-1 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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1N829UR-1-1%E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode |
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1N829UR-1-1%TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.84%, 0.5W, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
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1N829UR-1-1%TRE3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.84%, 0.5W, Silicon, DO-213AA, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, G |
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1N829UR-1-2 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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1N829UR-1-2% | MICROSEMI |
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Zener Diode |
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1N829UR-1-2%E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode |
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1N829UR-1-2%E3/TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.84%, 0.5W, Silicon, DO-213AA, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, G |
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1N829UR-1-2%TR | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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