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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-XALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.66 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 0.475 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 6.2 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 电压温度Coeff-Max： | 0.62 mV/ °C |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 7.5 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N822E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.84%, 0.5W, Silicon, DO-204AA, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-7, 2 PI |
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| 1N822-PBF | DIGITRON |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.84%, 0.5W, Silicon, DO-7 |
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| 1N822TR | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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| 1N822TR-1 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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| 1N822TR-1-1 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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| 1N822TR-1-2 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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| 1N822TR-2 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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| 1N822UR | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated Surface Mount Zener Reference Diodes |
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| 1N822UR-1 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated Surface Mount Zener Reference Diodes |
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| 1N822UR-1%E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
6.2V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-213AA, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS P |
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