是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | E-GALF-W2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.69 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 0.525 V |
JESD-30 代码: | E-GALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流: | 20 A |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最大输出电流: | 1 A |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装形状: | ELLIPTICAL |
封装形式: | LONG FORM | 最大重复峰值反向电压: | 150 V |
最大反向恢复时间: | 0.005 µs | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N8023 | SSDI |
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HYPER FAST RECOVERY RECTIFIER | |
1N8023SMS | SSDI |
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1 A, 200 V Hyperfast Recovery Rectifier | |
1N8023SMSS | SSDI |
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HYPER FAST RECOVERY RECTIFIER | |
1N8023SMSTX | SSDI |
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HYPER FAST RECOVERY RECTIFIER | |
1N8023SMSTXV | SSDI |
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HYPER FAST RECOVERY RECTIFIER | |
1N80G-TA3-T | UTC |
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1A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
1N80G-TF1-T | UTC |
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1A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
1N80G-TF3-T | UTC |
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1A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
1N80L-TA3-T | UTC |
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1A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET | |
1N80L-TF1-T | UTC |
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1A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET |