是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-35 |
包装说明: | O-XALF-W2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.22 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | ZENER DIODE | JEDEC-95代码: | DO-35 |
JESD-30 代码: | O-XALF-W2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 200 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.5 W |
认证状态: | Not Qualified | 标称参考电压: | 12 V |
表面贴装: | NO | 技术: | ZENER |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
最大电压容差: | 1% | 工作测试电流: | 20 mA |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N759D-1 | MICROSEMI |
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SILICON 400 mW ZENER DIODES | |
1N759D-1E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 12V V(Z), 1%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERMET | |
1N759D-1TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 12V V(Z), 1%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLAS | |
1N759D7E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 12V V(Z), 10%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, | |
1N759DD7 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 12V V(Z), 1%, 0.4W, Silicon, Unidirectional | |
1N759DD7E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 12V V(Z), 1%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, | |
1N759DE3/TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 12V V(Z), 1%, 0.417W, Silicon, Unidirectional, DO-204AA, HERMETIC SEALED, GLA | |
1N759DE3TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 12V V(Z), 1%, 0.417W, Silicon, Unidirectional, DO-204AA, HERMETIC SEALED, GLA | |
1N759DLEADFREE | CENTRAL |
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Zener Diode, 12V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-35, 2 PIN | |
1N759D-PBF | DIGITRON |
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Zener Diode |