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1N759A.TR

更新时间: 2024-02-21 04:40:10
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德州仪器 - TI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
1页 30K
描述
12V, 0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

1N759A.TR 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:O-LALF-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.64外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:10 Ω
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:12 V最大反向电流:0.1 µA
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
电压温度Coeff-Max:9.24 mV/ °C最大电压容差:5%
工作测试电流:20 mABase Number Matches:1

1N759A.TR 数据手册

  

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