5秒后页面跳转
1N757C PDF预览

1N757C

更新时间: 2024-01-19 16:21:35
品牌 Logo 应用领域
NJSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
1页 94K
描述
Diode Zener Single 9.1V 2% 500mW 2-Pin DO-35

1N757C 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.86
配置:SINGLE二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:10 ΩJESD-609代码:e0
元件数量:1最高工作温度:175 °C
最大功率耗散:0.4 W标称参考电压:9.1 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)最大电压容差:2%
工作测试电流:20 mABase Number Matches:1

1N757C 数据手册

  

与1N757C相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
1N757C-1 MICROSEMI SILICON 400 mW ZENER DIODES

获取价格

1N757C-1E3 MICROSEMI Zener Diode, 9.1V V(Z), 2%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERME

获取价格

1N757C-1E3/TR MICROSEMI Zener Diode, 9.1V V(Z), 2%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA

获取价格

1N757C-1E3TR MICROSEMI Zener Diode, 9.1V V(Z), 2%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA

获取价格

1N757C-1TR MICROSEMI Zener Diode, 9.1V V(Z), 2%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA

获取价格

1N757CD7E3 MICROSEMI Zener Diode, 9.1V V(Z), 2%, 0.4W, Silicon, Unidirectional,

获取价格