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1N747

更新时间： 2024-01-12 04:05:26

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描述
SILICON PLANAR ZENER DIODES

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1N747 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-LELF-R2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.57
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-213AA	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	3.6 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	最大电压容差：	10%
工作测试电流：	20 mA	Base Number Matches：	1

1N747 数据手册

1N746 THRU 1N759

SILICON PLANAR ZENER DIODES

Features

Silicon Planar Zener Diodes

Standard Zener voltage tolerance is

10%. Add suffix A

for

5% tolerance. Other tolerances, non standard and

higher Zener voltages upon request.

DIMENSIONS

inches

DIM

Note

Min.

Max.

0.154

0.075

0.020

Min.

Max.

3.9

1.9

0.52

1.083

27.50

Absolute Maximum Ratings (T_a=25

)

Symbols

Values

Units

Zener current see Table "Characteristics"

Power dissipation at T_amb=50

Junction Temperature

P_tot

T_j

400

175

Storage temperature range

T_S

-65 to +175

Note:

(1) Valid provided that leads at a distance of 8 mm from case are kept at ambient temperature.

Characteristics ^atT_amb=25

Symbols

R_thA

Min.

Typ.

Max.

Units

Thermal resistance

0.3

K/mW

junction to ambient Air

Forward voltage at I_F=200mA

V_F

1.2

Note:

(1) Valid provided that leads at a distance of 8 mm from case are kept at ambient temperature.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N747-1	MICROSEMI	获取价格	SILICON 400 mW ZENER DIODES
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1N747-1E3TR	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 3.6V V(Z), 10%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GL
1N747-1TR	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 3.6V V(Z), 10%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GL
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