1N6818R

更新时间： 2024-11-27 22:34:59

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美高森美 - MICROSEMI		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
2页	92K
描述
LOW VOLTAGE DROP SCHOTTKY DIODE

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1N6818R 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	S-CSSO-G1
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.58
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	S-CSSO-G1	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	500 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最大输出电流：	75 A	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	45 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N6818R 数据手册

2830 S. Fairview St.

Santa Ana, CA 92704

PH: (714) 979-8220

FAX: (714) 966-5256

1N6818

(MSASC75H45F)

1N6818R

Features

Tungsten/Platinum schottky barrier for very low VF

Oxide passivated structure for very low leakage currents

Guard ring protection for increased reverse energy capability

Epitaxial structure minimizes forward voltage drop

(MSASC75H45FR)

PRELIMINARY

Hermetically sealed, low profile ceramic surface mount power package

45 Volts

Low package inductance

Very low thermal resistance

75 Amps

Available as standard polarity (strap is anode: 1N6818) and reverse

polarity (strap is cathode: 1N6818R)

LOW VOLTAGE

DROP SCHOTTKY

Maximum Ratings @ 25°C (unless otherwise specified)

DIODE

DESCRIPTION

SYMBOL

MAX.

UNIT

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

Average Rectified Forward Current, Tc£ 125°C

derating, forward current, Tc³ 125°C

Nonrepetitive Peak Surge Current, tp= 8.3 ms, half-sinewave

Peak Repetitive Reverse Surge Current, tp= 1ms, f= 1kHz

Junction Temperature Range

V_RRM

V_RWM

V_R

I_F(ave)

dI_F/dT

I_FSM

I_RRM

T_j

500

Volts

Amps

Amps/°C

Amps

Amp

-55 to +150

0.50

°C

°C/W

Storage Temperature Range

Thermal Resistance, Junction to Case:

T_stg

1N6818

1N6818R

q_JC

0.65

Mechanical Outline

ThinKey™4

Datasheet# MSC1029A

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