1N6766R

更新时间： 2024-11-28 06:26:39

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美高森美 - MICROSEMI		整流二极管功率超快恢复二极管局域网快速恢复二极管
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DUAL ULTRAFAST POWER RECTIFIER

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1N6766R 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	S-XSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.4	Is Samacsys：	N
应用：	POWER ULTRA FAST RECOVERY	配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.35 V	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-XSFM-P3	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	125 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最大输出电流：	12 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	400 V	最大反向恢复时间：	0.06 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N6766R 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

DUAL ULTRAFAST POWER RECTIFIER

Qualified per MIL-PRF-19500/643

DEVICES

LEVELS

JAN

JANTX

JANTXV

1N6766

1N6767

1N6766R

1N6767R

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted) (Per Diode)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Value

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

1N6766, R

1N6767, R

400

600

V_RWM

Vdc

Average Forward Current ⁽¹⁾

Peak Surge Forward Current

T_C= +100°C

I_F

125

1.8

Adc

I_FSM

R_θjc

A(pk)

°C/W

Thermal Resistance - Junction to Case

TO-254

Note:

(1) Derate @ 240mA/°C above T_C= 100°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

• 1

• 2

• 3

Breakdown Voltage ⁽²⁾

I_R= 10µAdc

1N6766

1N6767

400

600

V_BR

Vdc

1N6766, 1N6767

Forward Voltage ⁽²⁾

I_F= 6Adc

I_F= 12Adc

V_F1

V_F2

1.35

1.55

Vdc

µAdc

mAdc

Reverse Leakage Current

V_R= 320V

V_R= 480V

1N6766

1N6767

I_R1

• 1

• 2

• 3

1N6766R, 1N6767R

Reverse Leakage Current

V_R= 320V, T_C= +100°C

V_R= 480V, T_C= +100°C

1N6766

1N6767

I_R2

1.0

Reverse Recovery Time

I_F= 1.0A, di/dt = 50A/µs

t_rr

Junction Capacitance

V_R= 5Vdc, f = 1.0MHz

C_J

300

Note:

(2) Pulse Test; 300µS, duty cycle ≤ 2%

T4-LDS-0019 Rev. 1 (072045)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N6766RE3	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 12A, 400V V(RRM), Silicon, TO-254AA, TO-254, 3 PIN
1N6767	MICROSEMI	获取价格	DUAL ULTRAFAST POWER RECTIFIER
1N6767E3	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 12A, 600V V(RRM), Silicon, TO-254AA, TO-254, 3 PIN
1N6767R	MICROSEMI	获取价格	DUAL ULTRAFAST POWER RECTIFIER
1N6767RE3	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 12A, 600V V(RRM), Silicon, TO-254AA, TO-254, 3 PIN
1N6767RPBF	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 12A, Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3
1N6768	ETC	获取价格	16 Amp, 50 To 600 Volts, 35 To 60 ns trr
1N6768R	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, Silicon, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257
1N6769	ETC	获取价格	16 Amp, 50 To 600 Volts, 35 To 60 ns trr
1N6769R	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, Silicon, TO-257AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-257

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