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1N6764R

更新时间： 2024-11-28 20:22:47
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 超快恢复二极管快速恢复二极管局域网功率超快恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 95K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 12A, 150V V(RRM), Silicon, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN

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1N6764R 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-254AA包装说明：S-PSFM-P3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.4Is Samacsys：N
应用：POWER外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-254AA
JESD-30 代码：S-PSFM-P3最大非重复峰值正向电流：165 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最大输出电流：12 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：150 V最大反向恢复时间：0.035 µs
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

1N6764R 数据手册

 浏览型号1N6764R的Datasheet PDF文件第2页 
TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http://www.microsemi.com  
DUAL ULTRAFAST POWER RECTIFIER  
Qualified per MIL-PRF-19500/642  
DEVICES  
LEVELS  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
1N6762  
1N6763  
1N6764  
1N6765  
1N6762R  
1N6763R  
1N6764R  
1N6765R  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
1N6762, R  
50  
100  
150  
200  
12  
1N6763, R  
1N6764, R  
1N6765, R  
TC = +100°C  
VRWM  
Vdc  
Average Forward Current (1)  
Peak Surge Forward Current  
IF  
Adc  
TO-254  
IFSM  
Rθjc  
165  
2.0  
A(pk)  
°C/W  
Thermal Resistance - Junction to Case  
Note:  
(1) Derate @ 240mA/°C above TC = 100°C  
(2) Each individual diode  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
1N6762, R  
50  
Breakdown Voltage (2)  
IR = 10µAdc  
1N6763, R  
1N6764, R  
1N6765, R  
100  
150  
200  
VBR  
Vdc  
Forward Voltage (2)  
IF = 6Adc  
IF = 12Adc  
VF1  
VF2  
0.95  
1.05  
Vdc  
Reverse Leakage Current  
VR = 50V  
VR = 100V  
VR = 150V  
VR = 200V  
1N6762, R  
1N6763, R  
1N6764, R  
1N6765, R  
IR1  
10  
µAdc  
Reverse Leakage Current  
VR = 50V  
VR = 100V  
VR = 150V  
VR = 200V  
TA = 100°C  
1N6762, R  
1N6763, R  
1N6764, R  
1N6765, R  
TA = 100°C  
TA = 100°C  
TA = 100°C  
IR2  
500  
µAdc  
Reverse Recovery Time  
IF = 1.0A, di/dt = 50A/µs  
trr  
35  
nS  
pF  
Junction Capacitance  
VR = 5Vdc, f = 1.0MHz  
CJ  
300  
T4-LDS-0172 Rev. 1 (101036)  
Page 1 of 2  
12

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1N6764R 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX1N6764R MICROSEMI

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