是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DO-217 |
包装说明: | O-CXSO-G1 | 针数: | 1 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.84 |
应用: | GENERAL PURPOSE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-217AA | JESD-30 代码: | O-CXSO-G1 |
JESD-609代码: | e0 | 最大非重复峰值正向电流: | 375 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 1 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 50 A |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 200 V |
最大反向恢复时间: | 5 µs | 表面贴装: | YES |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | UNSPECIFIED | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N6711G | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 50A, Silicon, X-STRAP | |
1N6711GE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 50A, Silicon, X-STRAP | |
1N6711GR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 50A, Silicon, X-STRAP | |
1N6711GRE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 50A, Silicon, X-STRAP | |
1N6712 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 50A, Silicon, | |
1N6712E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 50A, Silicon, | |
1N6712G | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 50A, Silicon, X-STRAP | |
1N6712GE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 50A, Silicon, X-STRAP | |
1N6712GR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 50A, Silicon, X-STRAP | |
1N6712GRE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 50A, Silicon, X-STRAP |