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1N6711

更新时间： 2024-11-09 15:30:43

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美高森美 - MICROSEMI		超快恢复二极管快速恢复二极管
页数	文件大小	规格书
2页	48K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 50A, Silicon,

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1N6711 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.84	应用：	ULTRA FAST RECOVERY
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	375 A
相数：	1	最大输出电流：	50 A
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.04 µs	端子面层：	TIN LEAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N6711 数据手册

2830 S. Fairview St.

Santa Ana, CA 92704

PH: (714) 979-8220

FAX: (714) 966-5256

1N6710, 1N6710R

1N6711, 1N6711R

Features

PRELIMINARY

passivated mesa structure for very low leakage currents

Hermetically sealed, low profile ceramic surface mount power package

Low package inductance

Very low thermal resistance

Available as standard polarity (strap-to-anode: 1N6710 and 1N6711) and

reverse polarity (strap-to-cathode: 1N6710R and 1N6711R)

100 and 200 Volts

40 ns, 50 Amps

ULTRAFAST

RECTIFIER

Maximum Ratings @ 25°C (unless otherwise specified)

DESCRIPTION

SYMBOL

MAX.

UNIT

Peak Repetitive Reverse Voltage

1N6710,R

1N6711,R

1N6710,R

1N6711,R

1N6710,R

1N6711,R

V_RRM

V_RWM

V_R

100

200

100

200

100

Volts

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

Volts

200

I_F(ave)

I_FSM

T_j

T_stg

q_JC

375

-65 to +175

0.65

Amps

°C

°C/W

Average Rectified Forward Current, Tc£ 125°C

Nonrepetitive Peak Surge Current, tp= 8.3 ms, half-sinewave

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Thermal Resistance, Junction to Case:

Mechanical Outline

Sluggerä 1 (DO-217AA)

Note: Polarity symbol shown

applies to 1N6710 and 1N6711

Datasheet# MSC0xxx

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N6711B	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 200V V(RRM), Silicon, DO-217AA, SLUGGER PACKAGE-
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