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1N65L

更新时间： 2024-05-23 22:21:49

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友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
9页	709K
描述
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:650V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:1A;Vgs(th)(V):±30;漏源导通电阻:11Ω@10V

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1N65L 数据手册

UMW

UMW 1N65

MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET

N-道沟功率

●最大额定值（TC=25°C）

●Absolute Maximum Ratings（Tc=25°C） TO-92/251T/251S/252/223

位单

参数

PARAMETER

号符

SYMBOL

值定额

VALUE

UNIT

V_DS

=650V

漏-源电压

650

V_DS

V_GS

Drain-source Voltage

R_DS(ON)=11Ω

栅-源电压

gate-source Voltage

±30

I_D=1.0A

漏极电流

Continuous Drain Current

TC=25℃

漏极电流

Continuous Drain Current

I_D

1.0*

I_D

0.6*

4.0*

TC=100℃

最大脉冲电流

Drain Current －Pulsed

I_DM

P_D

①

TO-92

耗散功率

Power Dissipation (T_L=25°C)

TO-251T/251S/252/223

最高结温

Junction Temperature

150

°C

存储温度

Storage Temperature

T_STG

-55-150

单脉冲雪崩能量

Single Pulse Avalanche

E_AS

Energy②

*漏极电流由最高结温限制

*Drain current limited by maximum junction temperature

SOT-223

●电特性（ Tc=25°C）

●Electronic Characteristics（Tc=25°C）

参数

PARAMETER

号符

SYMBOL

条试测件

TEST CONDITION

值小最

MIN

值型典

TYP

值大最

MAX

单位

UNIT

漏-源击穿电压

650

BV_DSS

V_GS=0V, I_D=250µA

V/°C

Drain-source Breakdown Voltage

击穿电压温度系数

Breakdown Voltage Temperature

Coefficient

ΔBV_DSS/

ΔTj

I_D=250uA, Referenced to

0.6

25°C

栅极开启电压

Gate Threshold Voltage

V_GS(TH)

V_GS=V_DS,I_D=250µA

2.0

4.0

V_DS=600V,

V_GS=0V, Tj=25°C

V_DS=480V,

漏-源漏电流

I_DSS

gfs

Drain-source Leakage Current

250

µA

V_GS=0V, Tj=125 C

导跨

Forward Transconductance

V_DS=40V, I_D=0.5A

③

0.5

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

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