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1N6491USCE3

更新时间: 2024-12-01 14:39:11
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
6页 443K
描述
Zener Diode, 5.6V V(Z), 2%, 1.5W

1N6491USCE3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.35
配置:SINGLE二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:5 ΩJESD-609代码:e3
元件数量:1最高工作温度:175 °C
峰值回流温度(摄氏度):250最大功率耗散:1.5 W
标称参考电压:5.6 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES端子面层:PURE MATTE TIN OVER COPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:30最大电压容差:2%
工作测试电流:45 mABase Number Matches:1

1N6491USCE3 数据手册

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