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1N649

更新时间: 2024-10-03 21:12:43
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 75K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 600V V(RRM), Silicon, DO-7

1N649 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.72Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJEDEC-95代码:DO-7
JESD-30 代码:O-XALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:3 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:0.4 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.6 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V最大反向恢复时间:0.2 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N649 数据手册

  
TM  
Central  
Semiconductor Corp.  
145 Adams Avenue  
Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  
www.centralsemi.com  

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