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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.6 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED |
| 最小击穿电压： | 13.6 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 1500 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 12 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N647-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package |
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| 1N6471E3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 1N6471HR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| 1N6471HRS | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| 1N6471HRX | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| 1N647-1R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
|
| 1N6471US | SENSITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, MELF-2 |
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| 1N6471US | MICROSEMI |
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VOIDLESS HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT UNDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
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| 1N6471US | SEMTECH |
获取价格 |
QPL 1500 Watt Surface Mount TVS |
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| 1N647-1X | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
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