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1N6140

更新时间: 2024-01-03 22:47:38
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器
页数 文件大小 规格书
2页 109K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

1N6140 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active包装说明:O-XALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.77
Is Samacsys:N最小击穿电压:7.38 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-XALF-W2最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:3 W
认证状态:Not Qualified参考标准:MIL-19500
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N6140 数据手册

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