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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | E-LALF-W2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.45 | Is Samacsys： | N |
| 最大击穿电压： | 40.9 V | 最小击穿电压： | 37.1 V |
| 击穿电压标称值： | 39 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大钳位电压： | 53.6 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | E-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 600 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ELLIPTICAL |
| 封装形式： | LONG FORM | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 3 W | 最大重复峰值反向电压： | 29.7 V |
| 子类别： | Transient Suppressors | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6120AE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 29.7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH |
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| 1N6120AP | DIGITRON |
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暂无描述 |
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| 1N6120APHR | DIGITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode |
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| 1N6120AUS | SEMTECH |
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500W Bipolar Transient Voltage Suppressor Surface Mount (US) |
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| 1N6120AUS | SENSITRON |
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Transient Voltage Suppressor Diode, 500W |
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| 1N6120AUSS | SENSITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 1N6120AUSX | SENSITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 1N6120US | SEMTECH |
获取价格 |
500W Bipolar Transient Voltage Suppressor Surface Mount (US) |
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| 1N6120US | SENSITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 29.7V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE |
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| 1N6120US | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 29.7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
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