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1N6111

更新时间: 2024-09-29 22:37:43
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
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2页 109K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

1N6111 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.33其他特性:HIGH RELIABILITY
最小击穿电压:15.2 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:2 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:12.2 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N6111 数据手册

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1N6111 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV1N6111 MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANTX1N6111 MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6111 MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

与1N6111相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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1N6111A STMICROELECTRONICS

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600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, GLASS, CB-431, 2 PIN
1N6111A VMI

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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 12.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HER
1N6111APPBF DIGITRON

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Trans Voltage Suppressor Diode
1N6111AS SENSITRON

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Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,
1N6111AUS SEMTECH

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500W Bipolar Transient Voltage Suppressor Surface Mount (US)
1N6111AUS SENSITRON

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Transient Voltage Suppressor Diode, 500W