5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.3 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 最小击穿电压： | 10.45 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 500 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 8.4 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N6107A | MICROSEMI |
完全替代  |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
|
| JANTX1N6107A | MICROSEMI |
完全替代 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
|
| JAN1N6107A | MICROSEMI |
完全替代 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6107APPBF | DIGITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode |
|
| 1N6107AS | SENSITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| 1N6107AUS | SEMTECH |
获取价格 |
500W Bipolar Transient Voltage Suppressor Surface Mount (US) |
|
| 1N6107AUS | MICROSEMI |
获取价格 |
Voidless-Hermetically-Sealed Surface Mount Bidirectional Transient Suppressors |
|
| 1N6107AUS | SENSITRON |
获取价格 |
Transient Voltage Suppressor Diode, 500W |
|
| 1N6107AUS | NJSEMI |
获取价格 |
Diode TVS Single Bi-Dir 8.4V 500W 2-Pin SMD |
|
| 1N6107AUSE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 8.4V V(RWM), Bidirectional, |
|
| 1N6107US | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 8.4V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HERM |
|
| 1N6107US | SEMTECH |
获取价格 |
500W Bipolar Transient Voltage Suppressor Surface Mount (US) |
|
| 1N6107US | SENSITRON |
获取价格 |
500 W Transient Voltage Suppressor SM |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
