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1N6076

更新时间: 2024-11-25 22:37:43
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管超快恢复二极管快速恢复二极管
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2页 74K
描述
ULTRA FAST POWER RECTIFIERS

1N6076 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS, A, 2 PIN
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.28Is Samacsys:N
其他特性:METALLURGICALLY BONDED, HIGH RELIABILITY应用:ULTRA FAST RECOVERY POWER
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):18 VJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:75 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最大输出电流:6 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500/503最大重复峰值反向电压:50 V
最大反向恢复时间:0.03 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N6076 数据手册

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与1N6076相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N6076E3 MICROSEMI

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1N6077 MICROSEMI

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