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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.36 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW IMPEDANCE |
| 最大击穿电压： | 126 V | 最小击穿电压： | 114 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大钳位电压： | 168 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-MALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 1500 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性： | BIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 最大反向电流： | 5 µA | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6065ACOX.250 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 1N6065AE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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| 1N6065AE3TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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| 1N6065AHR | DIGITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode |
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| 1N6065AT | LITTELFUSE |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-13 |
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| 1N6065ATR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
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| 1N6065B | LITTELFUSE |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 95V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-1 |
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| 1N6065COX.250 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 1N6065HR | DIGITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode |
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| 1N6065TR | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
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