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1N6051A

更新时间: 2024-11-23 22:37:43
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美高森美 - MICROSEMI 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 111K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT ABSORPTION ZENER

1N6051A 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-13
包装说明:O-MALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:1.96
最大击穿电压:34.7 V最小击穿电压:31.4 V
击穿电压标称值:33 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:45.7 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-202AAJESD-30 代码:O-MALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:28 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N6051A 数据手册

 浏览型号1N6051A的Datasheet PDF文件第2页 

1N6051A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JAN1N6051A MICROSEMI

完全替代

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