5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-XALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.25 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | 最大动态阻抗： | 2000 Ω |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-XALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 200 V | 子类别： | Voltage Reference Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 最大电压容差： | 2% | 工作测试电流： | 1 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6031C-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLAS |
|
| 1N6031C-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 2%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, DO-35, 2 PIN |
|
| 1N6031C-1E3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 2%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, DO-35, 2 PIN |
|
| 1N6031C-1TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 2%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA |
|
| 1N6031C-1TRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, |
|
| 1N6031CE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 2%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERM |
|
| 1N6031CE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 2%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA |
|
| 1N6031CLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N6031CTR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 2%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA |
|
| 1N6031CTRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
