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1N6019

更新时间: 2024-01-08 05:28:53
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美高森美 - MICROSEMI 稳压二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
3页 114K
描述
SILICON 500 mW ZENER DIODES

1N6019 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-213AA
包装说明:O-LELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.07
Is Samacsys:N其他特性:METALLURGICALLY BONDED
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-213AAJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:62 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:20%工作测试电流:2 mA
Base Number Matches:1

1N6019 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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