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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.35 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | 最大动态阻抗： | 10 Ω |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.5 V | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 膝阻抗最大值： | 600 Ω | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 9.1 V | 最大反向电流： | 0.1 µA |
| 反向测试电压： | 7 V | 子类别： | Voltage Reference Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 5 mA |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5999B-1E3TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, DO-35, 2 PIN |
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| 1N5999B-A | MCC |
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Zener Diode, |
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| 1N5999B-B | MCC |
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Zener Diode, |
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| 1N5999BE3TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA |
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| 1N5999BLEADFREE | CENTRAL |
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Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
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| 1N5999BRA1 | TAK_CHEONG |
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Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, |
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| 1N5999BRA2 | TAK_CHEONG |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, |
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| 1N5999BRL2 | MOTOROLA |
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Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH |
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| 1N5999BTA | MOTOROLA |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH |
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| 1N5999BTA2 | TAK_CHEONG |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, |
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