Datasheet > 1N5932B

1N5932B

更新时间： 2024-01-12 15:42:14

品牌	Logo	应用领域
星合电子 - GXELECTRONICS		稳压二极管测试
页数	文件大小	规格书
3页	451K
描述
GLAS S PASSIVA TED JUNC TION S ILICON ZENER DIODE VO LTA GE - 1 1 T O 200 Vo lts

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1N5932B 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-41
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.24
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-204AL	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.5 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	20 V	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	20%
工作测试电流：	18.7 mA	Base Number Matches：	1

1N5932B 数据手册

1N5926B THRU 1N5956B

星合子

XINGHE ELECTRONICS

GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON ZENER DIODE

VOLTAGE - 11 TO 200 Volts

Power - 1.5 Watts

FEATURES

DO-41

Low profile package

Built-in strain relief

Glass passivated junction

Low inductance

Typical I_Rless than 1 £gA above 11V

High temperature soldering :

260 ¢J/10 seconds at terminals

Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-O

MECHANICAL DATA

Case: JEDEC DO-41 Molded plastic over passivated junction

Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,

method 2026

Polarity: Color band denotes positive end (cathode)

Standard Packaging: 52mm tape

Weight: 0.012 ounce, 0.3 gram

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ¢J ambient temperature unless otherwise specified.

SYMBOL

VALUE

1.5

UNITS

Watts

¢J

P_D

DC Power Dissipation @ T_L=75 , Measure at Zero Lead Length(Note 1, Fig. 1)

mW/¢J

Derate above 75 ¢J

Peak forward Surge Current 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated

load(JEDEC Method) (Note 1,2)

I_FSM

Amps

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_STG

-55 to +150

¢J

NOTES:

1. Mounted on 5.0mm²(.013mm thick) land areas.

2. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses

per minute maximum.

3. ZENER VOLTAGE (Vz) MEASUREMENT Nominal zener voltage is measured with the device

function in thermal equilibrium with ambient temperature at 25 ¢J.

4.ZENER IMPEDANCE (Zz) DERIVATION Z_ZTare measured by dividing the ac voltage drop across

the device by the accurrent applied. The specified limits are for I_Z(ac)= 0.1 I_Z, (dc) with the ac freqency = 60Hz.

GAOMI XINGHE ELECTRONICSCO.,LTD.

WWW.SDDZG.COM

TEL:0536-2210359

QQ:464768017

12 3

中文翻译

下载PDF

与1N5932B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N5932B3P	MCC	获取价格	Tape : 5K/Reel, 20K/Ctn; Bulk: 1K/Box, 50K/Ctn; T/B: 5K/Ammo Box, 50K/Ctn.;
1N5932B-B	MCC	获取价格	Zener Diode,
1N5932BG	TAITRON	获取价格	3 W DO−41 Surmetic TM 30 Zener Voltage Regulators
1N5932BG	MICROSEMI	获取价格	Zener Voltage Regulator Diode
1N5932BGE3	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 20V V(Z), 5%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, HERMETIC SEALED, GLASS
1N5932BGTR	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 20V V(Z), 5%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, HERMETIC SEALED, GLASS
1N5932BLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Zener Diode, 20V V(Z), 5%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-41, DO-41, 2 PIN
1N5932B-LFR	FRONTIER	获取价格	1.5 WATT SILICON ZENER DIODE
1N5932BP	MCC	获取价格	Tape : 5K/Reel, 20K/Ctn; Bulk: 1K/Box, 50K/Ctn; T/B: 5K/Ammo Box, 50K/Ctn.;
1N5932BPA	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 20V V(Z), 10%, 1.19W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PI

与1N5932B相关文章

MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
2024-06-28

6
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
2024-06-28

7
高压电解电容的分类与选型策略
2024-06-28

8
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
2024-06-27

14

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

1N5932B

1N5932B 技术参数

1N5932B 数据手册

与1N5932B相关器件

与1N5932B相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

1N5932B

1N5932B 技术参数

1N5932B 数据手册

与1N5932B相关器件

与1N5932B相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？