5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 1N5822-E3/51
1N5822-E3/51 PDF预览

1N5822-E3/51

更新时间： 2024-09-25 20:49:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效二极管
页数 文件大小 规格书
4页 70K
描述
DIODE 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

1N5822-E3/51 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-201AD
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.57
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-201ADJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：80 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：40 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：MATTE TIN端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

1N5822-E3/51 数据手册

 浏览型号1N5822-E3/51的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N5822-E3/51的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1N5822-E3/51的Datasheet PDF文件第4页 
1N5820 thru 1N5822  
Vishay General Semiconductor  
Schottky Barrier Rectifier  
FEATURES  
• Guardring for overvoltage protection  
• Very small conduction losses  
• Extremely fast switching  
• Low forward voltage drop  
• High forward surge capability  
• High frequency operation  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
DO-201AD  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in low voltage high frequency inverters,  
freewheeling, dc-to-dc converters, and polarity protection  
applications.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
3.0 A  
VRRM  
IFSM  
20 V, 30 V, 40 V  
80 A  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-201AD  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade  
VF  
0.475 V, 0.500 V, 0.525 V  
125 °C  
TJ max.  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
Polarity: Color band denotes the cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
1N5820  
20  
1N5821  
30  
1N5822  
40  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
V
V
V
V
14  
21  
28  
Maximum DC blocking voltage  
Non-repetitive peak reverse voltage  
20  
30  
40  
VRSM  
24  
36  
48  
Maximum average forward rectified current  
at 0.375" (9.5 mm) lead length at TL = 95 °C  
IF(AV)  
3.0  
A
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
80  
A
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 65 to + 125  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS SYMBOL  
1N5820  
1N5821  
0.500  
0.900  
2.0  
1N5822  
0.525  
UNIT  
(1)  
Maximum instantaneous forward voltage  
Maximum instantaneous forward voltage  
3.0  
VF  
VF  
0.475  
V
V
(1)  
(1)  
9.4  
0.850  
0.950  
TA = 25 °C  
TA = 100 °C  
Maximum average reverse current  
at rated DC blocking voltage  
IR  
mA  
20  
Note  
(1)  
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle  
Document Number: 88526  
Revision: 20-Oct-09  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
1
1234

中文翻译

下载PDF

与1N5822-E3/51相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5822-E3/56 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5822-E3/58 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5822-E3/64 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5822-E3/68 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5822-E3/70 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5822-E3/72 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5822-E3/74 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5822-E3/91 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5822-F RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5822G ONSEMI

获取价格

 		Axial Lead Rectifiers

与1N5822-E3/51相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证