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1N5822

更新时间： 2024-10-15 14:52:15
品牌 Logo 应用领域
WON-TOP 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
Axial

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1N5822 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-201AD
包装说明：PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00风险等级：5.09
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.525 VJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：80 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：40 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1N5822 数据手册

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®
1N5820 – 1N5822  
3.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE  
WON-TOP ELECTRONICS  
Features  
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring for Transient and ESD Protection  
Surge Overload Rating to 80A Peak  
Low Power Loss, High Efficiency  
Ideally Suited for Use in High Frequency  
SMPS, Inverters and As Free Wheeling Diodes  
A
B
A
Mechanical Data  
C
Case: DO-201AD, Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: Cathode Band  
Weight: 1.2 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
Marking: Type Number  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
D
DO-201AD  
Min  
Dim  
A
Max  
—
25.4  
B
7.20  
9.50  
1.30  
5.30  
C
1.20  
D
4.80  
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
1N5820  
1N5821  
1N5822  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
20  
14  
30  
40  
28  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
21  
V
A
Average Rectified Output Current (Note 1) @TL = 95°C  
3.0  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
Single Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
80  
A
Forward Voltage  
@IF = 3.0A  
@IF = 9.4A  
0.475  
0.850  
0.500  
0.900  
0.525  
0.950  
VFM  
IRM  
V
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TA = 25°C  
@TA = 100°C  
2.0  
20  
mA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 2)  
Thermal Resistance, Junction to Lead (Note 2)  
RθJA  
RθJL  
28  
10  
°C/W  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
TJ  
-65 to +125  
-65 to +150  
°C  
°C  
TSTG  
Note: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.  
2. Vertical PCB mounting with 12.7mm lead length on 63.5 x 63.5mm copper pad.  
© Won-Top Electronics Co., Ltd.  
Revision: September, 2012  
www.wontop.com  
1
1234

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与1N5822相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5822/1-E3 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5822/23 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC
1N5822/4E-E3 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5822/4F VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC
1N5822/4G VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC
1N5822/4G-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5822/4H VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC
1N5822/51 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC
1N5822/51-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5822/54 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC

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