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1N5820_10

更新时间： 2024-11-29 07:22:43

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德欧泰克 - DIOTEC		整流二极管
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2页	89K
描述
Schottky Barrier Rectifier Diodes

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1N5820_10 数据手册

1N5820 ... 1N5822

Version 2010-06-01

1N5820 ... 1N5822

Schottky Barrier Rectifier Diodes

Schottky-Barrier-Gleichrichterdioden

Nominal current

Nennstrom

3 A

20...40 V

~ DO-201

1 g

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

Ø 4.5^+0.1

-0.3

Plastic case

Kunststoffgehäuse

Weight approx.

Gewicht ca.

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Ø 1.2^±0.05

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings and Characteristics

Grenz- und Kennwerte

Type

Typ

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

V_RRM[V]

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM[V]

Forward voltage

Durchlass-Spannung

V_F[V] ¹)

1N5820

1N5821

1N5822

< 0.85

< 0.90

< 0.95

Max. average forward rectified current, R-load

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

T_A= 75°C

f > 15 Hz

T_A= 25°C

I_FAV

I_FRM

I_FSM

i²t

3 A¹)

15 A ²)

150 A

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle

Rating for fusing, t < 10 ms

Grenzlastintegral, t < 10 ms

110 A²s

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-50...+150°C

-50...+175°C

T_j

T_S

I_F= 9.4 A,T_j= 25°C

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

http://www.diotec.com/

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