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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1N5820-BP-HF
1N5820-BP-HF PDF预览

1N5820-BP-HF

更新时间： 2024-09-24 13:03:39
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
4页 453K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

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1N5820-BP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.05
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.475 V
JEDEC-95代码：DO-201ADJESD-30 代码：O-PALF-W2
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：80 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：20 V最大反向电流：500 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：NOT SPECIFIED端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

1N5820-BP-HF 数据手册

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M C C  
1N5820  
THRU  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
1N5822  
Features  
•
Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Low Forward Voltage Drop and High Current Capability  
High Surge Current Capability  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
3 Amp Schottky  
Barrier Rectifier  
20 - 40 Volts  
·
·
·
·
Maximum Ratings  
DO-201AD  
·
·
·
Operating Temperature: -55°C to +125°C  
Storage Temperature: -55°C to +125°C  
Maximum Thermal Resistance; 28°C/W Junction To Ambient  
MCC  
Catalog  
Number  
Device  
Marking  
Maximum  
Recurrent  
Peak  
Reverse  
Voltage  
20V  
Maximum Maximum  
RMS  
DC  
Voltage  
Blocking  
Voltage  
D
1N5820  
1N5821  
1N5822  
14V  
21V  
28V  
20V  
30V  
40V  
1N5820  
1N5821  
1N5822  
30V  
40V  
A
Cathode  
Mark  
B
D
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
Average Forward  
Current  
IF(AV)  
3.0A  
TA = 85°C  
Peak Forward Surge  
Current  
IFSM  
80A  
8.3ms, half sine  
C
Maximum  
Instantaneous  
Forward Voltage  
1N5820  
1N5821  
1N5822  
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
VF  
.475V  
.500V  
.525V  
IFM = 3.0A;  
TJ = 25°C(Note 2)  
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
.287  
.189  
.048  
MM  
MIN  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
.374  
.208  
.052  
---  
MAX  
9.50  
5.30  
1.30  
---  
NOTE  
7.30  
4.80  
IR  
0.5mA  
20mA  
TJ = 25°C  
TJ = 100°C  
1.20  
25.40  
1.000  
Typical Junction  
Capacitance  
CJ  
200pF  
Measured at  
1.0MHz, VR=4.0V  
Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.  
2.Pulse test: Pulse width 300 msec, Duty cycle 1%  
www.mccsemi.com  
Revision: A  
2011/01/01  
1 of 4  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5820-E3 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifi
1N5820-E3/1 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5820-E3/100 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5820-E3/23 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5820-E3/4E VISHAY

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 		DIODE 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5820-E3/4F VISHAY

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 		DIODE 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5820-E3/4H VISHAY

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 		DIODE 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5820-E3/53 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5820-E3/54 VISHAY

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 		Schottky Barrier Rectifier
1N5820-E3/56 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

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