1N5820-AP-HF

更新时间： 2024-02-19 03:29:39

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美微科 - MCC		/
页数	文件大小	规格书
4页	453K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

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1N5820-AP-HF 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
其他特性：	METALLURGICALLY BONDED	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

1N5820-AP-HF 数据手册

M C C

1N5820

THRU

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

1N5822

Features

•

Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Low Forward Voltage Drop and High Current Capability

High Surge Current Capability

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

3 Amp Schottky

Barrier Rectifier

20 - 40 Volts

Maximum Ratings

DO-201AD

Operating Temperature: -55°C to +125°C

Storage Temperature: -55°C to +125°C

Maximum Thermal Resistance; 28°C/W Junction To Ambient

MCC

Catalog

Number

Device

Marking

Maximum

Recurrent

Peak

Reverse

Voltage

20V

Maximum Maximum

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

1N5820

1N5821

1N5822

14V

21V

28V

20V

30V

40V

1N5820

1N5821

1N5822

30V

40V

Cathode

Mark

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Average Forward

Current

I_F(AV)

3.0A

T_A= 85°C

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

80A

8.3ms, half sine

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

1N5820

1N5821

1N5822

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

V_F

.475V

.500V

.525V

I_FM= 3.0A;

T_J= 25°C(Note 2)

DIMENSIONS

INCHES

MIN

.287

.189

.048

MIN

DIM

MAX

.374

.208

.052

---

MAX

9.50

5.30

1.30

---

NOTE

7.30

4.80

I_R

0.5mA

20mA

T_J= 25°C

T_J= 100°C

1.20

25.40

1.000

Typical Junction

Capacitance

C_J

200pF

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.

2.Pulse test: Pulse width 300 msec, Duty cycle 1%

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

1 of 4

12 3 4

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与1N5820-AP-HF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N5820-B	DIODES	获取价格	3.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
1N5820-B	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COM
1N5820BK	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5820BKLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5820-BP	MCC	获取价格	3 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 - 40 Volts
1N5820-BP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5820-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifi
1N5820-E3/1	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5820-E3/100	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5820-E3/23	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

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