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1N5819RL

更新时间： 2024-09-07 22:52:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管瞄准线
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5页 59K
描述
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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1N5819RL 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：DO-41包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：6 weeks风险等级：0.53
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：179075Samacsys Pin Count：2
Samacsys Part Category：DiodeSamacsys Package Category：Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting
Samacsys Footprint Name：DO-41Samacsys Released Date：2016-03-17 18:36:42
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.9 VJEDEC-95代码：DO-41
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：25 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：40 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1N5819RL 数据手册

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®
1N581x  
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCTS CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
Tj  
1 A  
40 V  
150°C  
0.45 V  
VF (max)  
FEATURES AND BENEFITS  
VERY SMALL CONDUCTION LOSSES  
NEGLIGIBLE SWITCHING LOSSES  
EXTREMELY FAST SWITCHING  
LOW FORWARD VOLTAGE DROP  
AVALANCHE CAPABILITY SPECIFIED  
DO41  
DESCRIPTION  
Axial Power Schottky rectifier suited for Switch  
Mode Power Supplies and high frequency DC to  
DC converters. Packaged in DO41 these devices  
are intended for use in low voltage, high frequency  
inverters, free wheeling, polarity protection and  
small battery chargers.  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values)  
Value  
Symbol  
Parameter  
Unit  
1N5817 1N5818 1N5819  
VRRM  
IF(RMS)  
IF(AV)  
20  
30  
10  
1
40  
V
A
A
Repetitive peak reverse voltage  
RMS forward current  
Average forward current  
TL = 125°C  
δ = 0.5  
IFSM  
25  
A
Surge non repetitive forward  
current  
tp = 10 ms  
Sinusoidal  
PARM  
1200  
1200  
900  
W
Repetitive peak avalanche  
power  
tp = 1µs Tj = 25°C  
Tstg  
Tj  
- 65 to + 150  
150  
°C  
°C  
Storage temperature range  
Maximum operating junction temperature *  
Critical rate of rise of reverse voltage  
dV/dt  
10000  
V/µs  
dPtot  
1
* :  
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink  
dTj  
Rth(j − a)  
July 2003 - Ed: 4A  
1/5  
12345

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1N5819RL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N5819 STMICROELECTRONICS

类似代替

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获取价格

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