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1N5818TR

更新时间： 2024-09-13 06:25:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管
页数 文件大小 规格书
5页 79K
描述
Schottky Rectifier, 1.0 A

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1N5818TR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-41包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.05Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.875 V
JEDEC-95代码：DO-204ALJESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：35 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1N5818TR 数据手册

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1N5818  
Vishay High Power Products  
Schottky Rectifier, 1.0 A  
FEATURES  
• Low profile, axial leaded outline  
• High frequency operation  
• Very low forward voltage drop  
• High purity, high temperature epoxy encapsulation for  
enhanced mechanical strength and moisture resistance  
Cathode  
Anode  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
DO-204AL  
• Lead (Pb)-free plating  
• Designed and qualified for industrial level  
PRODUCT SUMMARY  
DESCRIPTION  
IF(AV)  
1.0 A  
30 V  
12 mA at 125 °C  
The 1N5818 axial leaded Schottky rectifier has been  
optimized for very low forward voltage drop, with moderate  
leakage. Typical applications are in switching power  
supplies, converters, freewheeling diodes, and reverse  
battery protection.  
VR  
IRM  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
1.0  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
30  
tp = 5 µs sine  
1 Apk, TJ = 25 °C  
Range  
225  
A
VF  
0.55  
V
TJ  
- 40 to 150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
1N5818  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
30  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
50 % duty cycle at TL = 90 °C, rectangular waveform  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
See fig. 4  
IF(AV)  
1.0  
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
See fig. 6  
Following any rated load  
condition and with rated  
RRM applied  
5 µs sine or 3 µs rect. pulse  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
225  
35  
IFSM  
V
Document Number: 93256  
Revision: 06-Nov-08  
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5818TRPBF INFINEON

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 		暂无描述
1N5818TR-RPCU CENTRAL

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-41, DO-41SP, 2 PIN
1N5818TRTIN/LEAD CENTRAL

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 		Rectifier Diode,
1N5818U06 RECTRON

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-41
1N5818W TYSEMI

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 		For use in low voltage, high frequency inverters Free wheeling, and polarity protection ap
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