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1N5818T50R

更新时间： 2024-09-13 14:39:07

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	41K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-41, D4, 2 PIN

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技术参数
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1N5818T50R 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-41
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.05
Is Samacsys：	N	其他特性：	FREE WHEELING DIODE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-41	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	1.25 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	30 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

1N5818T50R 数据手册

1N5817 - 1N5819

Features

• 1.0 ampere operation at T_A= 90°C

with no thermal runaway.

• For use in low voltage, high

frequency inverters free

wheeling, and polarity

DO-41

COLOR BAND DENOTES CATHODE

protection applications.

Schottky Rectifiers

Absolute Maximum Ratings*

T_A= 25°C unless otherwise noted

Value

Symbol

Parameter

Units

1N5817 1N5818 1N5819

V_RRM

I_F(AV)

Maximum Repetitive Reverse Voltage

Average Rectified Forward Current

1.0

.375 " lead length @ T = 90 C

I_FSM

Non-repetitive Peak Forward Surge Current

8.3 ms Single Half-Sine-Wave

Storage Temperature Range

-65 to +125

T_stg

T_J

Operating Junction Temperature

-65 to +125

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Value

Units

P_D

Power Dissipation

Thermal Resistance, Junction to Ambient

1.25

R_θJA

C/W

Electrical Characteristics

T_A= 25°C unless otherwise noted

Device

Symbol

Parameter

Units

1N5817 1N5818 1N5819

V_F

I_R

Forward Voltage

@ 1.0 A

@ 3.0 A

450

750

550

875

0.5

600

900

Reverse Current @ rated V_RT = 25 C

T = 100 C

C_T

Total Capacitance

V_R= 4.0 V, f = 1.0 MHz

110

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

1N5817-1N5819, Rev. C

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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