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1N5818-E

更新时间: 2024-10-30 16:16:31
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RECTRON 二极管
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1页 148K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-41

1N5818-E 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.05
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-41JESD-30 代码:O-PALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:30 V表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1N5818-E 数据手册

  

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