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1N5818-B

更新时间： 2024-10-30 20:16:23

品牌	Logo	应用领域
RECTRON		瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
2页	23K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PALSTIC PACKAGE-2

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1N5818-B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-41
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PALSTIC PACKAGE-2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.08
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-41	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	265	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	30 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N5818-B 数据手册

1N5817

THRU

RECTRON

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL SPECIFICATION

1N5819

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

VOLTAGE RANGE 20 to 40 Volts CURRENT 1.0 Ampere

FEATURES

* Low switching noise

* Low forward voltage drop

* High current capability

* High switching capabitity

* High reliability

DO-41

* High surge capability

MECHANICAL DATA

* Case: Molded plastic

* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O

* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed

* Mounting position: Any

.034 (0.9)

DIA.

.028 (0.7)

1.0 (25.4)

MIN.

* Weight: 0.33 gram

.205 (5.2)

.166 (4.2)

.107 (2.7)

DIA.

.080 (2.0)

1.0 (25.4)

MIN.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ^oC ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS (At T

= 25^oC unless otherwise noted)

RATINGS

SYMBOL

1N5817

1N5818

1N5819

UNITS

RRM

Volts

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

RMS

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Rectified Current

.375” (9.5mm) lead length at TL

= 90^oC

1.0

Amps

Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC method)

FSM

Amps

Typical Thermal Resistance (Note) 1

Typical Junction Capacitance (Note 2)

Storage Operating Temperature Range

R θ J A

110

⁰C/W

⁰C

, TSTG

-55 to + 150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At TA

= 25^oC unless otherwise noted)

CHARACTERISTICS

Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A DC

Maximum Forward Voltage at 3.1A DC

SYMBOL

1N5817

.45

1N5818

.55

1N5819

.60

UNITS

Volts

.75

.875

1.0

.90

Volts

= 25^oC

= 100^oC

Maximum Average Reverse Current at

mAmps

Rated DC Blocking Voltage

NOTES : 1. Thermal Resistance (Junction to Ambient): Vertical PC Board Mounting, 0.5” (12.7mm) Lead Length.

2. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.

2002-11

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与1N5818-B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N5818B-G	COMCHIP	获取价格	Schottky Barrier Rectifiers
1N5818-BP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLAS
1N5818-BP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-41,
1N5818-E	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-41
1N5818-E	LRC	获取价格	Schottky Barrier Rectifiers Reverse Voltage 20 to 40V Forward Current 1.0A
1N5818-E3/54	VISHAY	获取价格	Diode Schottky 30V 1A 2-Pin DO-204AL T/R
1N5818-F	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-41
1N5818FL	PJSEMI	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
1N5818FL	KEXIN	获取价格	Schottky Diodes
1N5818FW	SWST	获取价格	肖特基二极管

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