Datasheet > 1N5817/100

1N5817/100

更新时间： 2024-02-08 13:10:57

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	179K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1N5817/100 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-41
包装说明：	PLASTIC, DO-41, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.09
其他特性：	FREE WHEELING DIODE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-204AL
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	20 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N5817/100 数据手册

1N5817, 1N5818, 1N5819

Vishay General Semiconductor

Schottky Barrier Rectifiers

Major Ratings and Characteristics

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

1.0 A

20 V, 30 V, 40 V

25 A

V_F

0.45 V, 0.55 V, 0.60 V

125 °C

T_jmax.

DO-204AL (DO-41)

Features

Mechanical Data

• Guardring for overvoltage protection

• Very small conduction losses

• Extremely fast switching

Case: DO-204AL (DO-41)

Epoxy meets UL 94V-0 Flammability rating

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002B and JESD22-B102D

E3 suffix for commercial grade

• Low forward voltage drop

• High frequency operation

• Solder Dip 260 °C, 40 seconds

Polarity: Color band denotes the cathode end

Typical Applications

For use in low voltage high frequency inverters, free

wheeling, dc-to-dc converters, and polarity protection

applications

Maximum Ratings

T_A= 25 °C unless otherwise specified

Parameter

Symbol

V_RRM

1N5817

1N5818

1N5819

Unit

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RMS

V_DC

1.0

Maximum DC blocking voltage

Maximum non-repetitive peak reverse voltage

V_RSM

Maximum average forward rectified current

0.375" (9.5 mm) lead length at T_L= 90 °C

I_F(AV)

Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-

wave superimposed on rated load

I_FSM

Voltage rate of change (rated V_R)

Storage temperature range

dv/dt

10000

V/µs

°C

T_J, T_STG

- 65 to + 125

Document Number 88525

13-Jul-05

www.vishay.com

12 3 4

下载PDF

与1N5817/100相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N5817/4E	VISHAY	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2	获取价格
1N5817/4F	VISHAY	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2	获取价格
1N5817/4G	VISHAY	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2	获取价格
1N5817/4H	VISHAY	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2	获取价格
1N5817/53	VISHAY	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2	获取价格
1N5817/56	VISHAY	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2	获取价格