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1N5817-13

更新时间： 2024-11-07 20:01:59
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
2页 57K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2

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1N5817-13 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-41
包装说明：PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.09
其他特性：LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-41
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：235认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：20 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：TIN LEAD
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

1N5817-13 数据手册

 浏览型号1N5817-13的Datasheet PDF文件第2页 
SPICE MODELS: 1N5817 1N5818 1N5819  
1N5817 - 1N5819  
1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
·
·
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring Die Construction for  
Transient Protection  
A
B
A
·
·
·
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Capability  
High Current Capability and Low Forward  
Voltage Drop  
C
·
·
For Use in Low Voltage, High Frequency  
Inverters, Free Wheeling, and Polarity  
Protection Application  
Plastic Material: UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
D
DO-41 Plastic  
Min  
Dim  
A
Max  
25.40  
4.06  
¾
Mechanical Data  
B
5.21  
0.864  
2.72  
·
·
Case: Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
C
0.71  
D
2.00  
·
·
·
·
Polarity: Cathode Band  
Weight: 0.3 grams (approx)  
Mounting Position: Any  
Marking: Type Number  
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
1N5817  
1N5818  
1N5819  
40  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
20  
14  
30  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
21  
28  
V
A
Average Rectified Output Current  
(Note 1)  
1.0  
@ TL = 90°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
25  
A
V
Forward Voltage (Note 2)  
@ IF = 1.0A  
@ IF = 3.0A  
0.450  
0.750  
0.550  
0.875  
0.60  
0.90  
VFM  
IRM  
Peak Reverse Leakage Current  
at Rated DC Blocking Voltage (Note 2)  
@TA = 25°C  
@ TA = 100°C  
1.0  
10  
mA  
pF  
CT  
RqJL  
Typical Total Capacitance (Note 3)  
110  
15  
Typical Thermal Resistance Junction to Lead (Note 4)  
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
°C/W  
°C  
RqJA  
50  
Tj, TSTG  
-65 to +125  
Notes:  
1. Measured at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.  
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
3. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
4. Thermal resistance from junction to lead vertical P.C.B. mounted, 0.375" (9.5mm) lead length with 1.5 x 1.5" (38 x 38mm)  
copper pads.  
DS23001 Rev. 6 - 2  
1 of 2  
1N5817-1N5819  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5817143 NXP

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 		1A, 20V, SILICON, SIGNAL DIODE
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1N5817A-G COMCHIP

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1N5817-B RECTRON

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